本文要说的话题与IGBT有关，如下图：
在文章《一文认识变频器的IGBT(逆变模块)》中提过IGBT是晶体管与mos管的结合体，晶体管负责高电压与大电流，而mos管控制晶体管的开通与关断，看上面这张图，再形象不过！
IGBT的导通与关断是由G极和E极之间的电压UGE决定，当UGE大于开启电压Uo时，mos管内形成导电沟道，其漏源电流作为晶体管的基极电流，IGBT导通。当G极与E极之间不加信号或施加反向电压时，mos内的导电沟道消失，晶体管基极电流被切断，IGBT即关断。
透过其工作原理不难看出，当IGBT出现炸管时，其驱动电路势必也会受到波及，所以，再对IGBT更换完毕以后，势必要对驱动电路进行检测，若强行上电试机的话，很有可能再次炸掉。
IGBT驱动电路大题如下：
当输入电压UI为“+”时，VT1导通，VT2截止，电流从正向驱动电源通过栅极电阻RG流向栅极，RG电阻通常为100左右，此时，UGE电压约为+15V，IGBT饱和导通。
当输入电压UI为“-”时，VT1截止，VT2导通，电流从IGBT的栅极通过栅极电阻RG流向反向偏置电源，栅极上得到负的偏置电压-UGE(-5～-10V)，此时，IGBT将截止。
在IGBT驱动电路中，比较流行的还是带走光耦隔离的驱动电路，因为，它能起到强电隔离的作用，尤其是在IGBT炸管时，不至于导致前段电路受到影响。如下图：
当有信号UI输入时，光耦晶体管导通，A点为低电位，晶体管VT1没有基极电流而截止，B点为高电位，晶体管VT3截止而VT2导通，IGBT的栅极通过VT2而得到正向驱动电压，IGBT将饱和导通。
当没有输入信号UI输入时，光耦晶体管截止，A点为高电位，晶体管VT1得到基极电流而导通，B点为低电位，晶体管VT2截止而VT3导通，IGBT的栅极G通过VT3而得到反向偏置电压，IGBT截止。
通过以上，不难看出，要判断一路IGBT驱动是否正常，要满足两个条件，一是信号电压UI的有无，而这个UI是由CPU发出的，可模拟获取。再者是IGBT的正反向电压是否可以正常获取，可通过示波器获取。以上步骤，均为模拟获取，在变频器上电前完成。
前段时间，就有一台变频器试机缺相，经历过炸机，检测发现，该路驱动光耦直接没电，查来查去最终到了开关电源上。
不同厂家的变频器IGBT驱动电路不同，但实现原理基本是相通的，希望能提供些许借鉴。
作者：电气星辰
