半导体参数精密分析仪主要由大功率电源/测量单元、中功率电源/测量单元、大电流电源/测量单元、高压电源/测量单元、中电流电源/测量单元、多频率电容测量单元、超大电流扩展器等部分组成，通过加压测流和加流测压模式实现IV、CV曲线扫描，从而完成二极管、晶体管、场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等半导体器件的击穿电压、泄漏电流、结电容等参数的精密测试。
半导体参数精密分析仪的计量特性
1、直流电流输出
①输出范围：±(1pA~10μA)；最大允许误差：±(0.3%~6%)。
②输出范围：±(10μA~10A)；最大允许误差：±(0.05%~0.5%)。
2、直流电流测量
①测量范围：±(1pA~10μA)；最大允许误差：±(0.08%~6%)。
②测量范围:±(10μA~10A);最大允许误差:±(0.05%~0.5%)。
3、直流电压输出
输出范围：±(100mV~3000V)；最大允许误差：±(0.05%~0.2%)。
4、直流电压测量
测量范围：±(100mV~3000V)；最大允许误差：±(0.05%~1%)。
5、脉冲电流
测量范围：±(10A~1500A)；最大允许误差:±(0.5%~2%)；单脉冲，脉冲度：250μs~10ms。
6、频率
输出范围：1kHz~5MHz；
最大允许误差：±0.01%；
工作电平:10mV~10V；
工作波形：正弦波。
7、电容测量
测量范围：1pF~100nF；
最大允许误差：±(0.1%~1%);
工作电平：10mV~10V；
工作频率：1kHz~5MHz。
注：以上技术指标不作合格性判别，仅提供参考。
JJF2009-2022半导体参数精密分析仪校准规范目录
引言(Ⅱ)
1 范围(1)
2 引用文件(1)
3 概述(1)
4 计量特性(1)
4.1 直流电流输出(1)
4.2 直流电流测量(1)
4.3 直流电压输出(2)
4.4 直流电压测量(2)
4.5 脉冲电流(2)
4.6 频率(2)
4.7 电容测量(2)
5 校准条件(2)
5.1 环境条件(2)
5.2 测量标准及其他设备(2)
6 校准项目和校准方法(4)
6.1 校准项目(4)
6.2 外观和工作正常性检查(4)
6.3 直流电流输出(4)
6.4 直流电流测量(6)
6.5 直流电压输出(7)
6.6 直流电压测量(8)
6.7 脉冲电流(9)
6.8 频率(10)
6.9 电容测量(11)
7 校准结果表达(11)
8 复校时间间隔(12)
附录 A 原始记录格式(13)
附录 B 校准证书内页格式(17)
附录 C 主要项目校准不确定度评定示例 (21)
说明
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